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產(chǎn)品中心長晶設(shè)備碳化硅SiC長晶設(shè)備
產(chǎn)品簡介
碳化硅SiC長晶設(shè)備是實現(xiàn)高質(zhì)量SiC晶體生長、高純度原料合成、高溫晶體熱處理的專業(yè)設(shè)備。廣泛應(yīng)用于SiC晶體生長、原料合成、晶體熱處理領(lǐng)域?？梢陨L6/8英寸的晶錠。
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碳化硅SiC長晶設(shè)備
是實現(xiàn)高質(zhì)量SiC晶體生長、高純度原料合成、高溫晶體熱處理的專業(yè)設(shè)備。廣泛應(yīng)用于SiC晶體生長、原料合成、晶體熱處理領(lǐng)域?？梢陨L6/8英寸的晶錠。
碳化硅SiC長晶設(shè)備
真空爐腔系統(tǒng)較為限本底真空值達到≤5.0E-5Pa，升壓率≤3Pa/12h，保證晶體生長的穩(wěn)定性
．智能化生長及監(jiān)測系統(tǒng)，實現(xiàn)多種制程精確定制，工藝優(yōu)化，長晶全過程實時監(jiān)控，數(shù)據(jù)可視化存檔
．新型感應(yīng)加熱線圈設(shè)計，有效提高熱場加熱的均勻性和穩(wěn)定性
．業(yè)內(nèi)1st創(chuàng)的PIM自檢系統(tǒng)，有效減免制程時間浪費
．穩(wěn)定可靠的水冷系統(tǒng)，實現(xiàn)了水道管路溫度、流量的實時監(jiān)控，保證了生長室溫場的穩(wěn)定性
．可生產(chǎn)6英寸P級碳化硅襯底，微管缺陷密度＜0.5個／cm2，電阻率達0.015-0.0280
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